中新網(wǎng)成都11月6日電 (記者 劉忠俊)記者11月6日從中國工程物理研究院電子工程研究所獲悉，國科該院聯(lián)合微系統(tǒng)太赫茲研究中心牽頭，研團應(yīng)研攜手四川大學(xué)、射效西安交通大學(xué)，究中在多層陶瓷電容器(MLCC)的突破輻射效應(yīng)研究領(lǐng)域取得重大突破。

　　據(jù)了解，性進(jìn)該科研團隊首次發(fā)現(xiàn)并系統(tǒng)揭示了MLCC在持續(xù)輻照環(huán)境下的國科低劑量率損傷增強效應(yīng)(ELDRS)及損傷機制，徹底顛覆了“陶瓷電容器無輻射敏感性”的研團應(yīng)研傳統(tǒng)認(rèn)知。目前，射效相關(guān)研究成果已發(fā)表于國際權(quán)威學(xué)術(shù)期刊《自然·通訊》(Nature Communications)。究中

　　作為電子系統(tǒng)中的突破核心基礎(chǔ)元件，MLCC長期被認(rèn)為具備較強的性進(jìn)輻射耐受性。但隨著器件向微型化方向發(fā)展、國科介質(zhì)層厚度不斷減薄，研團應(yīng)研其內(nèi)部承受的射效電場強度持續(xù)增大，輻射引發(fā)的材料缺陷及性能演化問題也日益突出。

　　通過開展原位輻照實驗，科研團隊首次明確證實了MLCC在伽馬射線持續(xù)作用下的電容退化現(xiàn)象，并發(fā)現(xiàn)該器件存在顯著的ELDRS效應(yīng)——即相較于高劑量率輻照，低劑量率輻照下器件的損傷程度更為嚴(yán)重。

　　此外，該研究還首次揭示了輻照停止后MLCC出現(xiàn)的“階躍恢復(fù)效應(yīng)”，為深入理解航空航天、核工業(yè)等特殊輻射環(huán)境中電子器件的性能退化規(guī)律提供了全新視角，也為后續(xù)抗輻射MLCC的設(shè)計與制備奠定了理論基礎(chǔ)。(完) 更多精彩內(nèi)容請進(jìn)入國內(nèi)新聞